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Samsung apresenta primeiros chips V-NAND para armazenamento interno

Samsung apresenta primeiros chips V-NAND para armazenamento interno. Novos chips podem armazenar 128 Gb em uma única unidade.

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Hoje um dos pontos decisivos na compra de um smartphone ou tablet é que a capacidade de armazenamento interno na maioria das vezes não é o suficiente e os alguns dos novos modelos não contam com expansão via microSD, o que limita bastante o espaço interno. Mas a Samsung já está trabalhando para mudar isso.

A empresa acaba de anunciar que começou o processo de produção em massa dos novos chips de memória flash 3D V-NAND. A tecnologia presente nos chips de três dimensões Vertical-NAND possibilita que os chips de memória sejam montados em estrutura vertical – e não horizontal como os atuais – o que economiza espaço, aumenta a capacidade de armazenamento e multiplica a velocidade de acesso.

Os novos chips V-NAND são capazes de proporcionar 128 Gigabits (16 GB) em uma única unidade, sendo que a Samsung já conseguiu ‘empilhar’ até 24 chips em um único conjunto. A nova tecnologia promete ainda duas vezes a velocidade dos chips atuais e até dez vezes mais confiabilidade no armazenamento de dados.

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A nova arquitetura dos chips V-NAND deve chegar ainda esse ano para as unidades de disco SSD e no próximo ano já estarão entrando no mercado de smartphones e tablets.

Fonte: Mobile Expert

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